未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
220A 20V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20 V 220A Specyfikacja urządzenia DH009N02P.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1
MOSFET mocy w trybie N, 320 A, 20 V DH009N02U
18N50/F18N50/18N50D
180A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85 V 180A Urządzenie+DSD040N08N3A+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
2A 600 V tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600 V 2A
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia DH10H035R.pdf
5A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500 V 5A Specyfikacja urządzenia D5N50 i B5N50.pdf
310A 20V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310A Specyfikacja urządzenia DH009N02.pdf
5A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Specyfikacja urządzenia D5N50 i B5N50.pdf
60A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30 V 60A Specyfikacja urządzenia DH081N03.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
30A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30 V 30A Specyfikacja urządzenia DH081N03R.pdf
320A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320A Specyfikacja urządzenia DH012N03.pdf
4A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Specyfikacja urządzenia DHS020N04D.pdf
320A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320A Specyfikacja urządzenia DH012N03.pdf
100A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85 V 100A Specyfikacja urządzenia DH85N08.pdf
8A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500 V 8A

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com