丨
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MODUŁ » PIM » Moduł półmostkowy 600A 1200V DGD600H120L2T

Ładowanie

Dzielić się z:
przycisk udostępniania na Facebooku
przycisk udostępniania na Twitterze
przycisk udostępniania linii
przycisk udostępniania wechata
przycisk udostępniania na LinkedIn
przycisk udostępniania na Pintereście
przycisk udostępniania WhatsApp
udostępnij ten przycisk udostępniania

Moduł półmostkowy 600A 1200V DGD600H120L2T

W tych tranzystorach bipolarnych z izolowaną bramką zastosowano zaawansowaną technologię wykopów i technologię Fieldstop, zapewniając doskonałą prędkość VCEsat i przełączania oraz niski ładunek bramki.Co jest zgodne ze standardem RoHS.
Dostępność:
Ilość:
Pytać się Dodaj do koszyka

  • DGD600H120L2T

  • WXDH

Moduł półmostkowy 600A 1200V

1 Opis 

W tych tranzystorach bipolarnych z izolowaną bramką zastosowano zaawansowaną technologię wykopów i technologię Fieldstop, zapewniając doskonałą prędkość VCEsat i przełączania oraz niski ładunek bramki.Co jest zgodne ze standardem RoHS. 


2 funkcje 

● Technologia wykopów FS, dodatni współczynnik temperaturowy 

● Niskie napięcie nasycenia: VCE(sat), typ = 1,79 V @ IC = 600 A i Tj = 25°C 

● Niezwykle zwiększone możliwości lawinowe 


3 aplikacje 

  •  Spawalniczy 

  •  UPS 

  •  Falownik trójpoziomowy 

  • Wzmacniacz serwonapędu AC i DC



  • Typ VCE Ic VCEsat, Tj=25℃ Tjop Pakiet
    DGD600H120L2T 1200 V 600A (Tj=100℃) 1,79 V (typ) 150 ℃ EconoDUAL3
Poprzedni: 
Następny: 
Moduł

Kategoria produktu

Najnowsze wiadomości

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Subskrybuj
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com