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600A 1200V Halbbrückenmodul DGD600H120L2T

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
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  • DGD600H120L2T

  • WXDH

600A 1200V Halbbrückenmodul

1 Beschreibung 

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient 

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ = 1,79 V bei IC = 600 A und Tj = 25 °C 

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 


3 Anwendungen 

  •  Schweißen 

  •  UPS 

  •  Dreistufiger Wechselrichter 

  • AC- und DC-Servoantriebsverstärker



  • Typ VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Paket
    DGD600H120L2T 1200V 600A (Tj=100℃) 1,79 V (typisch) 150℃ EconoDUAL3
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