丨
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bevindt zich hier: Thuis » Producten » MODULE » PIM » 600A 1200V Halve brugmodule DGD600H120L2T

bezig met laden

Delen naar:
knop voor delen op Facebook
Twitter-deelknop
knop voor lijn delen
knop voor het delen van wechat
linkedin deelknop
knop voor het delen van Pinterest
WhatsApp-knop voor delen
deel deze deelknop

600A 1200V Halve brugmodule DGD600H120L2T

Deze bipolaire transistor met geïsoleerde poort maakte gebruik van een geavanceerd geul- en veldstoptechnologieontwerp, zorgde voor uitstekende VCEsat- en schakelsnelheid en lage poortlading.Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
Beschikbaarheid:
Aantal:
Informeer Voeg toe aan winkelwagen

  • DGD600H120L2T

  • WXDH

600A 1200V Halve brugmodule

1 Beschrijving 

Deze bipolaire transistor met geïsoleerde poort maakte gebruik van een geavanceerd geul- en veldstoptechnologieontwerp, zorgde voor uitstekende VCEsat- en schakelsnelheid en lage poortlading.Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 


2 Kenmerken 

● FS Trench-technologie, positieve temperatuurcoëfficiënt 

● Lage verzadigingsspanning: VCE(sat), typ = 1,79V @ IC =600A en Tj = 25°C 

● Extreem verbeterd lawinevermogen 


3 toepassingen 

  •  Lassen 

  •  UPS 

  •  Drie-niveau-omvormer 

  • AC- en DC-servoversterker



  • Type VCE Ik VCEsat,Tj=25℃ Tjop Pakket
    DGD600H120L2T 1200V 600A (Tj=100℃) 1,79 V (typisch) 150℃ EconoDUAL3
Vorig: 
Volgende: 
Module

product categorie

Laatste nieuws

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Meld je aan voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen
    Abonneren
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie door leadong.com