丨
Jiangsu Donghai Semikonduktor Co, Ltd
Jiangsu Donghai Semikonduktor Co, Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MODUL » PIM » Modul setengah jembatan 600A 1200V DGD600H120L2T

memuat

Bagikan ke:
tombol berbagi facebook
tombol berbagi twitter
tombol berbagi baris
tombol berbagi WeChat
tombol berbagi tertaut
tombol berbagi pinterest
tombol berbagi whatsapp
bagikan tombol berbagi ini

Modul setengah jembatan 600A 1200V DGD600H120L2T

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan Fieldstop yang canggih, memberikan VCEsat dan kecepatan peralihan yang sangat baik, biaya gerbang yang rendah.Yang sesuai dengan standar RoHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke Keranjang

  • DGD600H120L2T

  • WXDH

Modul setengah jembatan 600A 1200V

1 Deskripsi 

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan Fieldstop yang canggih, memberikan VCEsat dan kecepatan peralihan yang sangat baik, biaya gerbang yang rendah.Yang sesuai dengan standar RoHS. 


2 Fitur 

● Teknologi Parit FS, Koefisien suhu positif 

● Tegangan saturasi rendah: VCE(sat), typ = 1,79V @ IC =600A dan Tj = 25°C 

● Kemampuan longsoran salju yang sangat ditingkatkan 


3 Aplikasi 

  •  Pengelasan 

  •  UPS 

  •  Inverter Tiga Tingkat 

  • Penguat penggerak servo AC dan DC



  • Jenis VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Kemasan
    DGD600H120L2T 1200V 600A (Tj=100℃) 1.79V (Jenis) 150℃ EkonomiDUAL3
Sebelumnya: 
Berikutnya: 
Modul

Kategori Produk

Berita Terbaru

  • Jiangsu Donghai Semikonduktor Co, Ltd
  • Mendaftarlah untuk buletin kami
  • bersiaplah untuk masa depan,
    daftarlah ke buletin kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda
    Langganan
Hak Cipta © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologi oleh leadong.com