Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MODUL » PIM » 600A 1200V Modul separuh jambatan DGD600H120L2T

memuatkan

Kongsi kepada:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian talian
butang perkongsian wechat
butang perkongsian linkedin
butang perkongsian pinterest
butang perkongsian whatsapp
kongsi butang perkongsian ini

600A 1200V Modul separuh jambatan DGD600H120L2T

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan Fieldstop termaju, memberikan VCEsat dan kelajuan pensuisan yang sangat baik, cas pintu yang rendah.Yang sesuai dengan piawaian RoHS.
Ketersediaan:
Kuantiti:
  • DGD600H120L2T

  • WXDH

600A 1200V Modul separuh jambatan

1 Penerangan 

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan Fieldstop termaju, memberikan VCEsat dan kelajuan pensuisan yang sangat baik, cas pintu yang rendah.Yang sesuai dengan piawaian RoHS. 


2 Ciri 

● Teknologi Parit FS, Pekali suhu positif 

● Voltan tepu rendah: VCE(sat), typ = 1.79V @ IC =600A dan Tj = 25°C 

● Keupayaan runtuhan salji yang sangat dipertingkatkan 


3 Aplikasi 

  •  Kimpalan 

  •  UPS 

  •  Penyongsang tiga tingkat 

  • Penguat pemacu servo AC dan DC



  • taip VCE Kad Pengenalan VCEsat,Tj=25℃ Tjop Pakej
    DGD600H120L2T 1200V 600A (Tj=100℃) 1.79V (Jenis) 150 ℃ EconoDUAL3
Sebelumnya: 
Seterusnya: 

kategori Produk

Berita terkini

  • Daftarlah untuk buletin kami
  • bersiap sedia untuk masa hadapan
    mendaftar untuk surat berita kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda
    Langgan