Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sei qui: Casa » Prodotti » MODULO » PIM » Modulo half bridge 600A 1200V DGD600H120L2T

caricamento

Condividere a:
pulsante di condivisione di Facebook
pulsante di condivisione su Twitter
pulsante di condivisione della linea
pulsante di condivisione wechat
pulsante di condivisione linkedin
pulsante di condivisione di Pinterest
pulsante di condivisione di whatsapp
condividi questo pulsante di condivisione

Modulo mezzo ponte 600A 1200V DGD600H120L2T

Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano un eccellente VCEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate.Che è conforme allo standard RoHS.
Disponibilità:
Quantità:
  • DGD600H120L2T

  • WXDH

Modulo mezzo ponte 600A 1200V

1 Descrizione 

Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano un eccellente VCEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate.Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,79 V @ IC = 600 A e Tj = 25°C 

● Capacità valanghe estremamente migliorata 


3 applicazioni 

  •  Saldatura 

  •  UPS 

  •  Invertitore a tre livelli 

  • Amplificatore servoazionamento AC e DC



  • Tipo VCE Circuito integrato VCEsat,Tj=25℃ Tjop Pacchetto
    DGD600H120L2T 1200 V 600 A (Tj=100 ℃) 1,79 V (tip.) 150 ℃ EconoDUAL3
Precedente: 
Prossimo: 

categoria di prodotto

Ultime notizie

  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta