Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » MÓDULO » PIM » Módulo medio puente 600A 1200V DGD600H120L2T

cargando

Compartir a:
botón para compartir facebook
botón para compartir en twitter
botón para compartir línea
botón para compartir wechat
botón para compartir en linkedin
botón para compartir en pinterest
boton compartir whatsapp
comparte este botón para compartir

Módulo medio puente 600A 1200V DGD600H120L2T

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
Disponibilidad:
Cantidad:
  • DGD600H120L2T

  • WXDH

Módulo de medio puente 600A 1200V

1. Descripción 

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta.Lo cual cumple con el estándar RoHS. 


2 características 

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,79 V @ IC = 600 A y Tj = 25 °C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 


3 aplicaciones 

  •  Soldadura 

  •  UPS 

  •  Inversor de tres niveles 

  • Amplificador servoaccionador de CA y CC



  • Tipo VCE ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Paquete
    DGD600H120L2T 1200V 600A (Tj=100℃) 1,79 V (típico) 150℃ EconoDUAL3
Anterior: 
Próximo: 

categoria de producto

Últimas noticias

  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Suscribir