Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Module demi-pont 600A 1200V DGD600H120L2T

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille.Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :
  • DGD600H120L2T

  • WXDH

Module demi-pont 600A 1200V

1 Descriptif 

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille.Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif 

● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 1,79V @ IC =600A et Tj = 25°C 

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée 


3 candidatures 

  •  Soudage 

  •  UPS 

  •  Onduleur à trois niveaux 

  • Amplificateur de servomoteur AC et DC



  • Taper VCE IC VCEsat,Tj=25℃ Tjop Emballer
    DGD600H120L2T 1200V 600A (Tj=100℃) 1,79 V (type) 150℃ ÉconoDUAL3
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