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5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 4,5 A 650 V
1 Descrizione
Questi VDMOSFET potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga.Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Commutazione rapida
● Funzionalità ESD migliorata
● Bassa resistenza all'attivazione (Rdson ≤ 2,8 Ω)
● Carica gate bassa (dati tipici: 14,5 nC)
● Capacità di trasferimento inverso basse (tipiche: 3,5 pF)
● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
● Test ΔVDS al 100%.
3 applicazioni
● utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.
● Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore.
VDSS | RDS(acceso)(TIPO) | ID |
650 V | 2,4Ω | 4,5 A |
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 4,5 A 650 V
1 Descrizione
Questi VDMOSFET potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga.Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Commutazione rapida
● Funzionalità ESD migliorata
● Bassa resistenza all'attivazione (Rdson ≤ 2,8 Ω)
● Carica gate bassa (dati tipici: 14,5 nC)
● Capacità di trasferimento inverso basse (tipiche: 3,5 pF)
● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
● Test ΔVDS al 100%.
3 applicazioni
● utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.
● Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore.
VDSS | RDS(acceso)(TIPO) | ID |
650 V | 2,4Ω | 4,5 A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. è stata fondata nel dicembre 2004, con sede al n. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Copre una superficie di 15.000 mq.Il capitale sociale è di 81,5 milioni di yuan.Ha una linea di produzione annua di 500 milioni di potenza de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fondata nel dicembre 2004, si trova al numero 88, East Zhongtong Road, città di Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Con un'area di 15.000 metri quadrati e un capitale sociale di 81,50 milioni di yuan, è una delle principali imprese high-tech
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fondata nel dicembre 2004, si trova al numero 88, East Zhongtong Road, città di Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Con un'area di 15.000 metri quadrati e un capitale sociale di 81,50 milioni di yuan, è una delle principali imprese high-tech
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fondata nel dicembre 2004, si trova al numero 88, East Zhongtong Road, città di Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Con un'area di 15.000 metri quadrati e un capitale sociale di 81,50 milioni di yuan, è una delle principali imprese high-tech
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fondata nel dicembre 2004, si trova al numero 88, East Zhongtong Road, città di Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Con un'area di 15.000 metri quadrati e un capitale sociale di 81,50 milioni di yuan, è una delle principali imprese high-tech
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fondata nel dicembre 2004, si trova al numero 88, East Zhongtong Road, città di Shuofang, distretto di Xinwu, città di Wuxi, provincia di Jiangsu.Con un'area di 15.000 metri quadrati e un capitale sociale di 81,50 milioni di yuan, è una delle principali imprese high-tech