Өлшемі: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Саны: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4,5А 650 В N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET
1 Сипаттама
Бұл N-арналы Жетілдірілген VDMOSFETs өткізгіштік жоғалуын азайтатын, коммутация өнімділігін жақсартатын және көшкін энергиясын жақсартатын өздігінен реттелетін жазық технология арқылы алынған.Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді.
2 Мүмкіндіктер
● Жылдам ауысу
● ESD жақсартылған мүмкіндігі
● Төмен ҚОСУ кедергісі (Rdson≤2,8Ω)
● Төмен қақпа заряды (Типтік деректер: 14,5 нС)
● Төмен кері тасымалдау сыйымдылығы (әдеттегі:3,5pF)
● 100% бір импульстік көшкін энергиясының сынағы
● 100% ΔVDS сынағы
3 Қолданбалар
● жүйені миниатюризациялау және жоғары тиімділік үшін әртүрлі қуат коммутация тізбегінде қолданылады.
● Электрондық балласт пен адаптордың қуат қосқышының тізбегі.
| VDSS | RDS(қосу)(TYP) | ID |
| 650В | 2,4 Ом | 4,5А |
4,5А 650 В N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET
1 Сипаттама
Бұл N-арналы Жетілдірілген VDMOSFETs өткізгіштік жоғалуын азайтатын, коммутация өнімділігін жақсартатын және көшкін энергиясын жақсартатын өздігінен реттелетін жазық технология арқылы алынған.Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді.
2 Мүмкіндіктер
● Жылдам ауысу
● ESD жақсартылған мүмкіндігі
● Төмен ҚОСУ кедергісі (Rdson≤2,8Ω)
● Төмен қақпа заряды (Типтік деректер: 14,5 нС)
● Төмен кері тасымалдау сыйымдылығы (әдеттегі:3,5pF)
● 100% бір импульстік көшкін энергиясының сынағы
● 100% ΔVDS сынағы
3 Қолданбалар
● жүйені миниатюризациялау және жоғары тиімділік үшін әртүрлі қуат коммутация тізбегінде қолданылады.
● Электрондық балласт пен адаптордың қуат қосқышының тізбегі.
| VDSS | RDS(қосу)(TYP) | ID |
| 650В | 2,4 Ом | 4,5А |
