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5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4,5 A 650 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Schnelles Umschalten
● ESD-verbesserte Fähigkeit
● Niedriger EIN-Widerstand (Rdson ≤ 2,8 Ω)
● Niedrige Gate-Ladung (typische Daten: 14,5 nC)
● Geringe Rückübertragungskapazitäten (typisch: 3,5 pF)
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.
● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.
VDSS | RDS(ein)(TYP) | AUSWEIS |
650V | 2,4 Ω | 4,5A |
4,5 A 650 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Schnelles Umschalten
● ESD-verbesserte Fähigkeit
● Niedriger EIN-Widerstand (Rdson ≤ 2,8 Ω)
● Niedrige Gate-Ladung (typische Daten: 14,5 nC)
● Geringe Rückübertragungskapazitäten (typisch: 3,5 pF)
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.
● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.
VDSS | RDS(ein)(TYP) | AUSWEIS |
650V | 2,4 Ω | 4,5A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 mit Sitz in Nr. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu, gegründet.Es umfasst eine Fläche von 15.000 m2.Das Grundkapital beträgt 81,5 Millionen Yuan.Die jährliche Produktionslinie beträgt 500 Millionen Energieeinheiten
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 gegründet und hat seinen Sitz in der East Zhongtong Road Nr. 88, Stadt Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu.Mit einer Fläche von 15.000 Quadratmetern und einem eingetragenen Kapital von 81,50 Millionen Yuan ist es ein High-Tech-Unternehmen
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 gegründet und hat seinen Sitz in der East Zhongtong Road Nr. 88, Stadt Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu.Mit einer Fläche von 15.000 Quadratmetern und einem eingetragenen Kapital von 81,50 Millionen Yuan ist es ein High-Tech-Unternehmen
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 gegründet und hat seinen Sitz in der East Zhongtong Road Nr. 88, Stadt Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu.Mit einer Fläche von 15.000 Quadratmetern und einem eingetragenen Kapital von 81,50 Millionen Yuan ist es ein High-Tech-Unternehmen
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 gegründet und hat seinen Sitz in der East Zhongtong Road Nr. 88, Stadt Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu.Mit einer Fläche von 15.000 Quadratmetern und einem eingetragenen Kapital von 81,50 Millionen Yuan ist es ein High-Tech-Unternehmen
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. wurde im Dezember 2004 gegründet und hat seinen Sitz in der East Zhongtong Road Nr. 88, Stadt Shuofang, Bezirk Xinwu, Stadt Wuxi, Provinz Jiangsu.Mit einer Fläche von 15.000 Quadratmetern und einem eingetragenen Kapital von 81,50 Millionen Yuan ist es ein High-Tech-Unternehmen