注: 建议图片大小150 ፒክስል*50 ፒክስል 
 |
| ፡ ብዛት | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C/E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V N-ሰርጥ ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET
1 መግለጫ
እነዚህ የN-channel የተሻሻለ VDMOSFETs፣ በራስ ተሰልፈው በተዘጋጀው የፕላን ቴክኖሎጂ የተገኙ ሲሆን ይህም የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል።የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።
2 ባህሪያት
● ፈጣን መቀያየር
● ESD የተሻሻለ ችሎታ
● ዝቅተኛ የመቋቋም (Rdson≤2.8Ω)
● ዝቅተኛ በር ክፍያ (የተለመደ መረጃ፡14.5nC)
● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (የተለመደ፡3.5pF)
● 100% ነጠላ ምት አቫላንቼ የኃይል ሙከራ
● 100% ΔVDS ሙከራ
3 መተግበሪያዎች
● በተለያዩ የኃይል መቀያየርን ወረዳዎች ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውለው ለስርዓት አነስተኛነት እና ከፍተኛ ብቃት።
● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።
| ቪዲኤስኤስ | RDS(በርቷል)(TYP) | መታወቂያ |
| 650 ቪ | 2.4Ω | 4.5A |
4.5A 650V N-ሰርጥ ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET
1 መግለጫ
እነዚህ የኤን-ቻናል የተሻሻለ VDMOSFETs፣ በራስ ተሰልፈው በተዘጋጀው የፕላን ቴክኖሎጂ የተገኙ ሲሆን ይህም የማስተላለፊያ መጥፋትን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የጎርፍ አደጋን ይጨምራል።የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።
2 ባህሪያት
● ፈጣን መቀያየር
● ESD የተሻሻለ ችሎታ
● ዝቅተኛ የመቋቋም (Rdson≤2.8Ω)
● ዝቅተኛ በር ክፍያ (የተለመደ ውሂብ፡14.5nC)
● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (የተለመደ፡3.5pF)
● 100% ነጠላ ምት አቫላንቼ የኃይል ሙከራ
● 100% ΔVDS ሙከራ
3 መተግበሪያዎች
● በተለያዩ የኃይል መቀያየርን ወረዳዎች ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውለው ለስርዓት አነስተኛነት እና ከፍተኛ ብቃት።
● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።
| ቪዲኤስኤስ | RDS(በርቷል)(TYP) | መታወቂያ |
| 650 ቪ | 2.4Ω | 4.5A |
