Képméret: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Mennyiség: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját.Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤2,8Ω)
● Alacsony kaputöltés (tipikus adat: 14,5 nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (tipikus: 3,5 pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.
| VDSS | RDS(be)(TYP) | ID |
| 650V | 2,4Ω | 4,5A |
4.5A 650V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját.Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤2,8Ω)
● Alacsony kaputöltés (tipikus adat: 14,5 nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (tipikus: 3,5 pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.
| VDSS | RDS(be)(TYP) | ID |
| 650V | 2,4Ω | 4,5A |
