注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Hoeveelheid: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Krag MOSFET
1 Beskrywing
Hierdie N-kanaal Verbeterde VDMOSFET's word verkry deur die self-belynde planêre tegnologie wat die geleidingsverlies verminder, skakelwerkverrigting verbeter en die stortvloed-energie verbeter.Wat ooreenstem met die RoHS-standaard.
2 Kenmerke
● Vinnige skakeling
● ESD Verbeterde vermoë
● Lae AAN-weerstand (Rdson≤2.8Ω)
● Lae heklading (tipiese data: 14.5nC)
● Lae omgekeerde oordragkapasitansies (tipies: 3,5 pF)
● 100% Enkelpulsstortingsenergietoets
● 100% ΔVDS-toets
3 Toepassings
● gebruik in verskeie kragskakelkring vir stelselminiaturisering en hoër doeltreffendheid.
● Kragskakelaarkring van elektronballas en adapter.
| VDSS | RDS(aan)(TIP) | ID |
| 650V | 2,4Ω | 4.5A |
4.5A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Krag MOSFET
1 Beskrywing
Hierdie N-kanaal Verbeterde VDMOSFET's word verkry deur die self-belynde planêre tegnologie wat die geleidingsverlies verminder, skakelwerkverrigting verbeter en die stortvloed-energie verbeter.Wat ooreenstem met die RoHS-standaard.
2 Kenmerke
● Vinnige skakeling
● ESD Verbeterde vermoë
● Lae AAN-weerstand (Rdson≤2.8Ω)
● Lae heklading (tipiese data: 14.5nC)
● Lae omgekeerde oordragkapasitansies (tipies: 3,5 pF)
● 100% Enkelpulsstortingsenergietoets
● 100% ΔVDS-toets
3 Toepassings
● gebruik in verskeie kragskakelkring vir stelselminiaturisering en hoër doeltreffendheid.
● Kragskakelaarkring van elektronballas en adapter.
| VDSS | RDS(aan)(TIP) | ID |
| 650V | 2,4Ω | 4.5A |
