Տարբերակ՝ 建议图片大小150px*50px 
 |
| Քանակ. | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
4.5A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքով ընդլայնված VDMOSFET-ները ստացվում են ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և բարձրացնում ավալանշի էներգիան:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● ESD բարելավված կարողություն
● Ցածր միացման դիմադրություն (Rdson≤2,8Ω)
● Դարպասի ցածր լիցքավորում (Տիպիկ տվյալներ՝ 14,5 nC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (սովորական՝ 3,5 pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:
● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում:
| VDSS | RDS(միացված)(TYP) | ID |
| 650 Վ | 2.4Ω | 4.5 Ա |
4.5A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքով ընդլայնված VDMOSFET-ները ստացվում են ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և բարձրացնում ավալանշի էներգիան:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● ESD բարելավված կարողություն
● Ցածր միացման դիմադրություն (Rdson≤2,8Ω)
● Դարպասի ցածր լիցքավորում (Տիպիկ տվյալներ՝ 14,5 nC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (սովորական՝ 3,5 pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:
● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում:
| VDSS | RDS(միացված)(TYP) | ID |
| 650 Վ | 2.4Ω | 4.5 Ա |
