ukuran: ukuran foto 150px*50px 
 |
| Kuantitas: | |
|---|---|
5N65C/F5N65C/I5N65C /E5N65C/B5N65C/D5N65C
WXDH
MOSFET Daya Mode Peningkatan N-channel 4,5A 650V
1 Deskripsi
VDMOSFET N-channel yang Disempurnakan ini, diperoleh dengan teknologi planar self-aligned yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja peralihan, dan meningkatkan energi longsoran salju.Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● Peralihan Cepat
● Peningkatan Kemampuan ESD
● Resistansi ON Rendah (Rdson≤2.8Ω)
● Biaya Gerbang Rendah (Data Khas: 14,5nC)
● Kapasitansi Transfer Balik Rendah (Khas: 3,5pF)
● Uji Energi Longsor Pulsa Tunggal 100%.
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● digunakan dalam berbagai rangkaian peralihan daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.
● Rangkaian saklar daya ballast elektron dan adaptor.
| VDSS | RDS(aktif)(TYP) | PENGENAL |
| 650V | 2,4Ω | 4.5A |
MOSFET Daya Mode Peningkatan N-channel 4,5A 650V
1 Deskripsi
VDMOSFET N-channel yang Disempurnakan ini, diperoleh dengan teknologi planar self-aligned yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja peralihan, dan meningkatkan energi longsoran salju.Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● Peralihan Cepat
● Peningkatan Kemampuan ESD
● Resistansi ON Rendah (Rdson≤2.8Ω)
● Biaya Gerbang Rendah (Data Khas: 14,5nC)
● Kapasitansi Transfer Balik Rendah (Khas: 3,5pF)
● Uji Energi Longsor Pulsa Tunggal 100%.
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● digunakan dalam berbagai rangkaian peralihan daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.
● Rangkaian saklar daya ballast elektron dan adaptor.
| VDSS | RDS(aktif)(TYP) | PENGENAL |
| 650V | 2,4Ω | 4.5A |
