Heim
Über uns
Produkte
MOSFET
DIODE
IGBT
IGBT-MODUL
SIC
Spannungsregler-IC
Anwendung
Service
FAQ
Herunterladen
Qualität
Nachricht
Kontaktieren Sie uns
:
Alle
Produktname
Produktschlüsselwort
Produktmodell
Produktzusammenfassung
Produktbeschreibung
Mehrfeldsuche
Please Choose Your Language
English
العربية
Français
Русский
Español
Português
Deutsch
italiano
日本語
한국어
Nederlands
Tiếng Việt
ไทย
Polski
Türkçe
አማርኛ
ພາສາລາວ
ភាសាខ្មែរ
Bahasa Melayu
ဗမာစာ
தமிழ்
Filipino
Bahasa Indonesia
magyar
Română
Čeština
Монгол
қазақ
Српски
हिन्दी
فارسی
Kiswahili
Slovenčina
Slovenščina
Norsk
Svenska
українська
Ελληνικά
Suomi
Հայերեն
עברית
Latine
Dansk
اردو
Shqip
বাংলা
Hrvatski
Afrikaans
Gaeilge
Eesti keel
Māori
Please Choose Your Language
English
العربية
Français
Русский
Español
Português
Deutsch
italiano
日本語
한국어
Nederlands
Tiếng Việt
ไทย
Polski
Türkçe
አማርኛ
ພາສາລາວ
ភាសាខ្មែរ
Bahasa Melayu
ဗမာစာ
தமிழ்
Filipino
Bahasa Indonesia
magyar
Română
Čeština
Монгол
қазақ
Српски
हिन्दी
فارسی
Kiswahili
Slovenčina
Slovenščina
Norsk
Svenska
українська
Ελληνικά
Suomi
Հայերեն
עברית
Latine
Dansk
اردو
Shqip
বাংলা
Hrvatski
Afrikaans
Gaeilge
Eesti keel
Māori
:
Alle
Produktname
Produktschlüsselwort
Produktmodell
Produktzusammenfassung
Produktbeschreibung
Mehrfeldsuche
Heim
Über uns
Produkte
MOSFET
DIODE
IGBT
IGBT-MODUL
SIC
Spannungsregler-IC
Anwendung
Service
FAQ
Herunterladen
Qualität
Nachricht
Kontaktieren Sie uns
Produktkategorie
650V-3300V SIC MOS
20 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC020M65G2 TO-247
41 A 650 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC060M65G2 TO-247
36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC080M120A TO-247-3L
30 mΩ 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L
20 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCCF020M65G2 TO-247-4L
5A 1700V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCCF1K0M170G1 TO-247-4L
18 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC160M120G1 TO-247-3L
41 A 650 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCCF060M65G2 TO-247
40 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCCF040M65G2 TO-247-4L
36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L
Mehr >>»
650V-1700V SIC-DIODE
4A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCD04D65G4 TO-252
15 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT15D120G4 TO-220-2
40 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCCT40D120G4 TO-247-2
30 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCE30D65G4 TO-263
500 V/5 A Halbbrücke IPM DPQB05HB50MF ESOP-9 mit internem integriertem Temperaturerkennungsausgang
7,0 A 1700 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC650M170G1 TO-247
500V/4A Halbbrücke IPM DPQA04HB50MF SOP-11
SiC-Schottky-Barrierediode 5A 1200V DCGT05D120G3
5 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode
25 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCET20D65G3 TO-263-2
Mehr >>»
Melden Sie sich für unseren Newsletter an
Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten
Einreichen
UNSERE PRODUKTE
MOSFET
DIODE
IGBT
IGBT-MODUL
SIC
Spannungsregler-IC
ÜBER LETOR
Über uns
Anwendung
Nachhaltigkeit
Blog
Kontaktieren Sie uns
WEITERE LINKS
Produkte
Qualität
Service & Support
Sitemap
Datenschutzrichtlinie
KONTAKTIEREN SIE UNS
E-Mail:
sales@wxdh.com .cn
Festnetz:
+86-510-85307789
SOZIALE NETZWERKE
E-Mail
sales@wxdh.com .cn
Telefon
+86-510-85307789
WhatsApp
+86 18261532730
+86 15150678496