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Categoria di prodotto
MOS SIC 650V-3300V
MOSFET di potenza SIC a canale N da 36 A 1200 V DCCF080M120A2 TO-247-4L
MOSFET di potenza SIC a canale N 120A 1200V DCC016M120G2
MOSFET di potenza SIC a canale N 41A 650V DCCF060M65G2 TO-247
MOSFET SiC 1200 V/16 mΩ/110 A DCCF016M120G3 TO-247-4L
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 mΩ 650 V DCCF040M65G2 TO-247-4L
MOSFET SiC a canale N DCC080M170G2 TO-247 da 1700 V/80 mΩ/37 A
MOSFET SiC 1200 V/16 mΩ/110 A DCC016M120G3 TO-247
DCC040M120A2
MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V DCC020M65G2 TO-247
MOSFET di potenza SIC a canale N 41A 650V DCC060M65G2 TO-247
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DIODO SIC 650V-1700V
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCCT20D65G4 TO-247-2L
Diodo barriera Schottky SiC 25A 1700V DCCT25D170G1 TO-247-2L
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MFN ESOP-9 senza uscita interna di rilevamento della temperatura integrata
IPM a mezzo ponte 500 V/5 A DPQB05HB50MFN ESOP-9 senza uscita interna di rilevamento della temperatura integrata
IPM Half-Bridge DPQB04HB50MF ESOP-9 da 500 V/4 A con uscita di rilevamento della temperatura integrata interna
IPM Half-Bridge DPQB07HB50MF ESOP-9 da 500 V/7 A con uscita di rilevamento della temperatura integrata interna
IPM a mezzo ponte 500 V/4 A DPQB04HB50MFN ESOP-9 senza uscita interna di rilevamento della temperatura integrata
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9
IPM a mezzo ponte 500 V/7 A DPQB07HB50MFN ESOP-9 senza uscita interna di rilevamento della temperatura integrata
IPM a mezzo ponte 500 V/5 A DPQA05HB50MF SOP-11
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