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Categoria di prodotto
MOS SIC 650V-3300V
MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V DCC020M65G2 TO-247
MOSFET di potenza SIC a canale N 41A 650V DCC060M65G2 TO-247
MOSFET di potenza SIC a canale N 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L
MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCC030M120G2 TO-247-3L
MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V DCCF020M65G2 TO-247-4L
MOSFET di potenza SIC a canale N 5A 1700 V DCCF1K0M170G1 TO-247-4L
MOSFET di potenza SIC a canale N 18A 1200V DCC160M120G1 TO-247-3L
MOSFET di potenza SIC a canale N 41A 650V DCCF060M65G2 TO-247
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 mΩ 650 V DCCF040M65G2 TO-247-4L
MOSFET di potenza SIC a canale N da 36 A 1200 V DCCF080M120A2 TO-247-4L
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DIODO SIC 650V-1700V
Diodo barriera Schottky SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252
Diodo barriera Schottky SiC 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220-2
Diodo barriera Schottky SiC 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2
Diodo barriera Schottky SiC 30A 650V DCE30D65G4 TO-263
IPM Half-Bridge DPQB05HB50MF ESOP-9 da 500 V/5 A con uscita di rilevamento della temperatura integrata interna
MOSFET di potenza SiC a canale N DCC650M170G1 TO-247 da 7,0 A 1700 V
IPM a mezzo ponte 500 V/4 A DPQA04HB50MF SOP-11
Diodo barriera Schottky SiC 5A 1200V DCGT05D120G3
Diodo a barriera Schottky SiC da 5 A 1200 V
Diodo barriera Schottky SiC 25A 650V DCET20D65G3 TO-263-2
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