Dom
O nas
Produkty
MOSFET
DIODA
IGBT
MODUŁ IGBT
SIC
Układ scalony regulatora napięcia
Aplikacja
Praca
Często zadawane pytania
Pobierać
Jakość
Aktualności
Skontaktuj się z nami
:
Wszystko
Nazwa produktu
Słowo kluczowe produktu
Model produktu
Podsumowanie produktu
Opis produktu
Wyszukiwanie w wielu polach
Please Choose Your Language
English
العربية
Français
Русский
Español
Português
Deutsch
italiano
日本語
한국어
Nederlands
Tiếng Việt
ไทย
Polski
Türkçe
አማርኛ
ພາສາລາວ
ភាសាខ្មែរ
Bahasa Melayu
ဗမာစာ
தமிழ்
Filipino
Bahasa Indonesia
magyar
Română
Čeština
Монгол
қазақ
Српски
हिन्दी
فارسی
Kiswahili
Slovenčina
Slovenščina
Norsk
Svenska
українська
Ελληνικά
Suomi
Հայերեն
עברית
Latine
Dansk
اردو
Shqip
বাংলা
Hrvatski
Afrikaans
Gaeilge
Eesti keel
Māori
Please Choose Your Language
English
العربية
Français
Русский
Español
Português
Deutsch
italiano
日本語
한국어
Nederlands
Tiếng Việt
ไทย
Polski
Türkçe
አማርኛ
ພາສາລາວ
ភាសាខ្មែរ
Bahasa Melayu
ဗမာစာ
தமிழ்
Filipino
Bahasa Indonesia
magyar
Română
Čeština
Монгол
қазақ
Српски
हिन्दी
فارسی
Kiswahili
Slovenčina
Slovenščina
Norsk
Svenska
українська
Ελληνικά
Suomi
Հայերեն
עברית
Latine
Dansk
اردو
Shqip
বাংলা
Hrvatski
Afrikaans
Gaeilge
Eesti keel
Māori
:
Wszystko
Nazwa produktu
Słowo kluczowe produktu
Model produktu
Podsumowanie produktu
Opis produktu
Wyszukiwanie w wielu polach
Dom
O nas
Produkty
MOSFET
DIODA
IGBT
MODUŁ IGBT
SIC
Układ scalony regulatora napięcia
Aplikacja
Praca
Często zadawane pytania
Pobierać
Jakość
Aktualności
Skontaktuj się z nami
Kategoria produktu
650 V-3300 V SIC MOS
40mΩ 650V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC040M65G2 TO-247
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L
20mΩ 650V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC020M65G2 TO-247
41A 650V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC060M65G2 TO-247
36A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC080M120A TO-247-3L
30 mΩ 1200 V N-kanałowy SiC MOSFET mocy DCC030M120G2 TO-247-3L
20mΩ 650V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCCF020M65G2 TO-247-4L
5A 1700V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF1K0M170G1 TO-247-4L
18A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC160M120G1 TO-247-3L
41A 650V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF060M65G2 TO-247
Więcej >>»
DIODA SIC 650V-1700V
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCC20D65G4 TO-247-3
Dioda barierowa Schottky'ego 8A 650 V SiC DCE08D65G4 TO-263
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCE20D65G4 TO-263
30 mΩ 1200 V N-kanałowy SiC MOSFET mocy DCCF030M120G2 TO-247-4L
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCD20D65G4 TO-252
Dioda barierowa Schottky'ego 15A 1200 V SiC DCGT15D120G4 TO-220-2
Dioda barierowa Schottky'ego 40A 1200 V SiC DCCT40D120G4 TO-247-2
Dioda barierowa Schottky'ego 30A 650 V SiC DCE30D65G4 TO-263
Półmostkowy 500 V/5 A IPM DPQB05HB50MF ESOP-9 z wewnętrznym zintegrowanym wyjściem do wykrywania temperatury
7,0 A 1700 V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC650M170G1 TO-247
Więcej >>»
Zapisz się na nasz newsletter
przygotuj się na przyszłość
zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
Składać
NASZE PRODUKTY
MOSFET
DIODA
IGBT
MODUŁ IGBT
SIC
Układ scalony regulatora napięcia
O LETORZE
O nas
Aplikacja
Zrównoważony rozwój
Bloga
Skontaktuj się z nami
WIĘCEJ LINKÓW
Produkty
Jakość
Serwis i wsparcie
Mapa witryny
Polityka prywatności
SKONTAKTUJ SIĘ Z NAMI
E-mail:
sales@wxdh.com .cn
Telefon stacjonarny:
+86-510-85307789
SIECI SPOŁECZNOŚCIOWE
E-mail
sales@wxdh.com .cn
Telefon
+86-510-85307789
WhatsApp
+86 18261532730
+86 15150678496