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650V-3300V SICMOS
MOSFET de puissance SiC canal N 40 mΩ 650 V DCC040M65G2 TO-247
MOSFET SiC 1200V/16mΩ/110A DCCF016M120G3 TO-247-4L
MOSFET de puissance SiC canal N 20 mΩ 650 V DCC020M65G2 TO-247
MOSFET de puissance SIC canal N 41A 650V DCC060M65G2 TO-247
MOSFET de puissance SIC canal N 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L
MOSFET de puissance SiC canal N 30 mΩ 1 200 V DCC030M120G2 TO-247-3L
MOSFET de puissance SiC canal N 20 mΩ 650 V DCCF020M65G2 TO-247-4L
MOSFET de puissance SIC canal N 5A 1700V DCCF1K0M170G1 TO-247-4L
MOSFET de puissance SIC canal N 18A 1200V DCC160M120G1 TO-247-3L
MOSFET de puissance SIC canal N 41A 650V DCCF060M65G2 TO-247
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DIODE SIC 650V-1700V
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCC20D65G4 TO-247-3
Diode barrière Schottky SiC 8A 650V DCE08D65G4 TO-263
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCE20D65G4 TO-263
MOSFET de puissance SiC canal N 30 mΩ 1 200 V DCCF030M120G2 TO-247-4L
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCD20D65G4 TO-252
Diode barrière Schottky SiC 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220-2
Demi-pont IPM DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V/5 A avec sortie de détection de température intégrée interne
MOSFET de puissance SiC canal N, 7,0 A, 1 700 V, DCC650M170G1 TO-247
Diode barrière Schottky SiC 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2
Diode barrière Schottky SiC 30A 650V DCE30D65G4 TO-263
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