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650V-3300V SICMOS
DCC040M120A2
MOSFET SiC canal N 1 700 V/80 mΩ/37 A DCC080M170G2 TO-247
MOSFET SiC 1200V/16mΩ/110A DCC016M120G3 TO-247
MOSFET de puissance SiC canal N 40 mΩ 650 V DCCF040M65G2 TO-247-4L
MOSFET SiC 1200V/16mΩ/110A DCCF016M120G3 TO-247-4L
MOSFET de puissance SIC canal N 41A 650V DCCF060M65G2 TO-247
MOSFET de puissance SIC canal N 36A 1200V DCCF080M120A2 TO-247-4L
MOSFET de puissance SIC canal N 120A 1200V DCC016M120G2
MOSFET de puissance SiC canal N 20 mΩ 650 V DCC020M65G2 TO-247
MOSFET de puissance SIC canal N 41A 650V DCC060M65G2 TO-247
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DIODE SIC 650V-1700V
MOSFET SiC canal N 1 700 V/40 mΩ/67 A DCC040M170G2 TO-247-3
Demi-pont 500 V/4 A IPM DPQA04HB50MF SOP-11
Demi-pont 500 V/5 A IPM DPQA05HB50MF SOP-11
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCCT20D65G4 TO-247-2L
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MFN ESOP-9 sans sortie de détection de température intégrée interne
Demi-pont 500 V/5 A IPM DPQB05HB50MFN ESOP-9 sans sortie de détection de température intégrée interne
Demi-pont IPM DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V/4 A avec sortie de détection de température intégrée interne
Demi-pont 500 V/7 A IPM DPQB07HB50MF ESOP-9 avec sortie de détection de température intégrée interne
Demi-pont 500 V/4 A IPM DPQB04HB50MFN ESOP-9 sans sortie de détection de température intégrée interne
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9
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