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DHS025N06B / DHS025N06D

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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  • DHS025N06B/DHS025N06D

  • Wxdh

120A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Das N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten das Design des fortschrittlichen Splite Gate-Gattentechnologie-Designs und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

● DC-DC-Konverter 

● Vollbrückenkontrolle



VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
60 V 2,3 mΩ 120a


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