DHS025N06B / DHS025N06D

120A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն 

N-ալիքի բարելավման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետներն օգտագործում էին առաջադեմ ճեղքված դարպասի խրամուղիների տեխնոլոգիայի նախագծում՝ ապահովելով գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Արագ միացում 

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ

● DC-DC կերպափոխիչներ 

● Կամուրջի ամբողջական կառավարում

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
60 Վ	2,3 mΩ	120 Ա