DHS025N06B / DHS025N06D

120A 60V N-channel وضع تحسين الطاقة MOSFET

1 الوصف 

تستخدم MOsfets ذات وضع تعزيز القناة N تصميمًا متقدمًا لتكنولوجيا خندق البوابة المقسمة، مما يوفر Rdson ممتازًا وشحنًا منخفضًا للبوابة. والذي يتوافق مع معيار RoHS. 

2 الميزات 

● التبديل السريع 

● مقاومة منخفضة 

● انخفاض رسوم البوابة 

● انخفاض سعات النقل العكسي 

● اختبار طاقة الانهيار الجليدي بنبضة واحدة بنسبة 100% 

● اختبار ΔVDS بنسبة 100% 

3 تطبيقات 

● تطبيقات تبديل الطاقة

● محولات DC-DC 

● السيطرة الكاملة على الجسر

VDSS	RDS (تشغيل) (TYP)	بطاقة تعريف
60 فولت	2.3mΩ	120 أ