DHS025N06B / DHS025N06D

120A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή 

Τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης καναλιών N χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά 

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές 

● Εφαρμογές μεταγωγής ισχύος

● Μετατροπείς DC-DC 

● Πλήρης έλεγχος γέφυρας

VDSS	RDS(ενεργό)(TYP)	ταυτότητα
60V	2,3 mΩ	120Α