未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12v-300v N Mos » DHS025N06B / DHS025N06D

Indlæsning

Del til:
Facebook -delingsknap
Twitter -delingsknap
Linjedelingsknap
WeChat -delingsknap
LinkedIn -delingsknap
Pinterest -delingsknap
Whatsapp -delingsknap
Sharethis delingsknap

DHS025N06B / DHS025N06D

Disse N-kanals forbedringsmodus Power MOSFETs brugte avanceret Split-portgraveteknologi design, leverede fremragende RDSON og lav gate-ladning. Der stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgængelighed:
Mængde:
Spørge Føj til kurv

  • DHS025N06B/DHS025N06D

  • WXDH

120A 60V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet


1 Beskrivelse 

N-kanalens forbedringsmodus Power MOSFETs brugte avanceret Splitport-grøfteknologi-design, leverede fremragende RDSON og lav portafgift. Der stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Hurtig skift 

● Lav modstand 

● Opladning med lav port 

● Lav omvendt overførselskapacitanser 

● 100% enkelt puls -lavine energitest 

● 100% ΔVDS -test 


3 applikationer 

● Applikationer til strømskift

● DC-DC-konvertere 

● Fuld brostyring



VDSS RDS (on) (typ) Id
60V 2,3mΩ 120a


Tidligere: 
Næste: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • Gør dig klar til den fremtidige
    tilmelding til vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte til din indbakke
    Indsende
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology af leadong.com