未命名(1)(8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS » DHS025N06B / DHS025N06D

indlæsning

Del til:
facebook delingsknap
twitter-delingsknap
knap til linjedeling
wechat-delingsknap
linkedin-delingsknap
pinterest delingsknap
whatsapp delingsknap
del denne delingsknap

DHS025N06B / DHS025N06D

Disse N-kanal-forbedringstilstande power-mosfets brugte avanceret split-gate trench-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
Tilgængelighed:
Antal:
Spørge Læg i kurv

  • DHS025N06B/DHS025N06D

  • WXDH

120A 60V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET


1 Beskrivelse 

Power-Mosfets'erne i N-kanal-forbedringstilstanden brugte avanceret split-gate-gravteknologidesign, hvilket gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 


2 funktioner 

● Hurtigt skifte 

● Lav modstand 

● Lav portladning 

● Lave omvendte overførselskapacitanser 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 


3 Ansøgninger 

● Strømskifteapplikationer

● DC-DC omformere 

● Fuld kontrol over broen



VDSS RDS(on)(TYP) ID
60V 2,3 mΩ 120A


Tidligere: 
Næste: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • gør dig klar til fremtiden
    tilmeld dig vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte i din indbakke
    Indsend
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologi af leadong.com