DHS025N06B / DHS025N06D

MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Channel ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit pintu gerbang maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.

Ketersediaan:

Kuantiti:



Bertanya Tambah ke bakul

Model:
DHS025N06B/DHS025N06D
Jenama:
WXDH

Penerangan Produk

120A 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Penerangan

MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Channel yang digunakan untuk reka bentuk teknologi parit pintu gerbang maju, menyediakan RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.

2 ciri

● Pertukaran cepat

● Rendah terhadap rintangan

● Caj pintu rendah rendah

● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%

● Ujian 100% Δvds

3 aplikasi

● Aplikasi pensuisan kuasa

● Penukar DC-DC

● Kawalan jambatan penuh

VDSS	Rds (on) (typ)	Id
60v	2.3mΩ	120a

Sebelumnya:

Seterusnya:

MOSFET

Daftar untuk surat berita kami
Bersedia untuk
mendaftar masa depan untuk buletin kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda

Hantar

Produk kami
- MOSFET
- Diod
- IGBT
- Modul IGBT
- Sic
- Pengatur Voltan IC
Mengenai Letor
Lebih banyak pautan
Hubungi kami

E -mel:

sales@wxdh.com. CN

Talian darat:

+86-510-85307789
Rangkaian Sosial