DHS025N06B / DHS025N06D

120A 60V N-Channel Enhancement Mode Mosfet

1 คำอธิบาย 

โหมดการปรับปรุง N-Channel MOSFETs ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 

2 คุณสมบัติ 

●การสลับอย่างรวดเร็ว 

●ความต้านทานต่ำ 

●ประจุประตูต่ำ 

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100% 

●การทดสอบ 100% ΔVDS 

3 แอปพลิเคชัน 

●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน

●ตัวแปลง DC-DC 

●การควบคุมบริดจ์เต็มรูปแบบ