未命名 (1) (8) (1)
Gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Narito ka: Home » Mga produkto » MOSFET » 12v-300v n mos » DHS025N06B / DHS025N06D

Naglo -load

Ibahagi sa:
Button sa Pagbabahagi ng Facebook
Button sa Pagbabahagi ng Twitter
Button sa Pagbabahagi ng Linya
Button ng Pagbabahagi ng WeChat
Button sa Pagbabahagi ng LinkedIn
Button ng Pagbabahagi ng Pinterest
pindutan ng pagbabahagi ng whatsapp
Button ng Pagbabahagi ng Sharethis

DHS025N06B / DHS025N06D

Ang mga N-channel na pagpapahusay ng mode ng MOSFET na ginamit ang advanced na disenyo ng teknolohiya ng trench ng splite gate, ay nagbigay ng mahusay na rdson at mababang singil sa gate. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS.
Availability:
Dami:
Magtanong Idagdag sa basket

  • DHS025N06B/DHS025N06D

  • Wxdh

120A 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Paglalarawan 

Ang N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETS na ginamit ang advanced na disenyo ng teknolohiya ng trench ng splite, ay nagbigay ng mahusay na rdson at mababang singil sa gate. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS. 


2 Mga Tampok 

● Mabilis na paglipat 

● Mababa sa paglaban 

● Mababang singil ng gate 

● Mababang reverse transfer capacitances 

● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test 

● 100% ΔVDS test 


3 mga aplikasyon 

● Mga Application ng Paglilipat ng Power

● DC-DC Converters 

● Buong kontrol sa tulay



VDSS Rds (on) (typ) ID
60V 2.3MΩ 120a


Nakaraan: 
Susunod: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mag -sign up para sa aming newsletter
  • Maghanda para sa hinaharap
    na pag -sign up para sa aming newsletter upang makakuha ng mga update nang diretso sa iyong inbox
    Isumite
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd Technology ni leadong.com