未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » 12V-300V N MOS » DSE058N15NA TO-263

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

DSE058N15NA TO-263

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFET använder Advanced Split Gate Trench Technology, som ger utmärkt RDSON och låg grindladdning samtidigt. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
Tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägg till i korgen

150A 150V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET


1 Beskrivning 

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFET använder Advanced Split Gate Trench Technology, som ger utmärkt RDSON och låg grindladdning samtidigt. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Snabbbrytning

● Låg omvänd överföringskapacitanser 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test 

● AEC-Q101 kvalificerad 


3 applikationer 

● Motorstyrning och körning

● Batterihantering 

● UPS (oavbruten strömförsörjning)


Vds Rds (on) (typ) Id
150V 5,0 mΩ 150A


Tidigare: 
Nästa: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com