未命名(1)(8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS » DSE058N15NA TO-263

indlæsning

Del til:
facebook delingsknap
twitter-delingsknap
knap til linjedeling
wechat-delingsknap
linkedin-delingsknap
pinterest delingsknap
whatsapp delingsknap
del denne delingsknap

DSE058N15NA TO-263

Disse N-kanals forstærkningstilstand power MOSFET bruger avanceret Split Gate Trench teknologi, som giver fremragende Rdson og lav Gate opladning på samme tid. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
Tilgængelighed:
Antal:
Spørge Læg i kurv

150A 150V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET


1 Beskrivelse 

Disse N-kanals forstærkningstilstand power MOSFET bruger avanceret Split Gate Trench teknologi, som giver fremragende Rdson og lav Gate opladning på samme tid. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 


2 funktioner 

● Lav modstand 

● Lav portladning 

● Hurtigt skift

● Lave omvendte overførselskapacitanser 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

● AEC-Q101 kvalificeret 


3 Ansøgninger 

● Motorstyring og drev

● Batteristyring 

● UPS (Uninterrupible Power Supplies)


VDSS RDS(on)(TYP) ID
150V 5,0 mΩ 150A


Tidligere: 
Næste: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • gør dig klar til fremtiden
    tilmeld dig vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte i din indbakke
    Indsend
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologi af leadong.com