未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12v-300v N Mos » DSE058N15NA TO-263

Indlæsning

Del til:
Facebook -delingsknap
Twitter -delingsknap
Linjedelingsknap
WeChat -delingsknap
LinkedIn -delingsknap
Pinterest -delingsknap
Whatsapp -delingsknap
Sharethis delingsknap

DSE058N15NA TO-263

Disse N-kanals forbedringsmodus Power MOSFET bruger avanceret Split Gate Trench Technology, som giver fremragende RDSON og lav gate-opladning på samme tid. Der stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgængelighed:
Mængde:
Spørge Føj til kurv

150A 150V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet


1 Beskrivelse 

Disse N-kanals forbedringsmodus Power MOSFET bruger avanceret Split Gate Trench Technology, som giver fremragende RDSON og lav gate-opladning på samme tid. Der stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Lav modstand 

● Opladning med lav port 

● Hurtig skift

● Lav omvendt overførselskapacitanser 

● 100% enkelt puls -lavine energitest 

● 100% ΔVDS -test 

● AEC-Q101 kvalificeret 


3 applikationer 

● Motorstyring og kørsel

● Batteristyring 

● UPS (uafhængige strømforsyninger)


VDSS RDS (on) (typ) Id
150V 5,0mΩ 150a


Tidligere: 
Næste: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • Gør dig klar til den fremtidige
    tilmelding til vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte til din indbakke
    Indsende
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology af leadong.com