未命名 (1) (8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Je bent hier: Thuis » Producten » Mosfet » 12V-300V n mos » » dse058n15NA TO-263

laden

Delen op:
Facebook -knop delen
Twitter -knop delen
Lijnuitdeling knop
Wechat delen knop
LinkedIn Sharing -knop
Pinterest delen knop
whatsapp delen knop
Sharethis delen knop

DSE058N15NA TO-263

Deze N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET gebruikt geavanceerde split gate trench-technologie, die tegelijkertijd uitstekende RDSON en lage poortkosten biedt. Die overeenkomt met de ROHS -standaard.
Beschikbaarheid:
hoeveelheid:
Vragen Toevoegen aan de mand

150A 150V N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET


1 beschrijving 

Deze N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET gebruikt geavanceerde split gate trench-technologie, die tegelijkertijd uitstekende RDSON en lage poortkosten biedt. Die overeenkomt met de ROHS -standaard. 


2 functies 

● Laag op weerstand 

● Lage poortlaad 

● Snel schakelen

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteiten 

● 100% enkele puls Avalanche Energy Test 

● 100% AVDS -test 

● AEC-Q101 gekwalificeerd 


3 toepassingen 

● Motorbesturing en -station

● Batterijbeheer 

● UPS (ononderbroken voedingen)


VDSS RDS (ON) (typ) Id
150V 5.0mΩ 150a


Vorig: 
Volgende: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Meld u aan voor onze nieuwsbrief
  • Maak je klaar voor de toekomstige
    aanmelding voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks naar je inbox te krijgen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology door leadong.com