未命名(1)(8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bevindt zich hier: Thuis » Producten » MOSFET » 12V-300V N-MOS » DSE058N15NA TO-263

laden

Deel met:
knop voor delen op Facebook
Twitter-deelknop
knop voor lijn delen
knop voor het delen van wechat
linkedin deelknop
knop voor het delen van Pinterest
WhatsApp-knop voor delen
deel deze deelknop

DSE058N15NA TO-263

Deze N-kanaals vermogens-MOSFET maakt gebruik van geavanceerde Split Gate Trench-technologie, die tegelijkertijd uitstekende Rdson en lage Gate-lading biedt. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
Beschikbaarheid:
Aantal:
Informeer Voeg toe aan winkelwagen

150A 150V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET


1 Beschrijving 

Deze N-kanaals vermogens-MOSFET maakt gebruik van geavanceerde Split Gate Trench-technologie, die tegelijkertijd uitstekende Rdson en lage Gate-lading biedt. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 


2 Kenmerken 

● Weinig weerstand 

● Lage poortlading 

● Snel schakelen

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteiten 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 

● AEC-Q101 gekwalificeerd 


3 toepassingen 

● Motorbesturing en aandrijving

● Batterijbeheer 

● UPS (Uninterruptible Power Supplies)


VDSS RDS(aan)(TYP) Identiteitskaart
150V 5,0 mΩ 150A


Vorig: 
Volgende: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie door leadong.com