DSE058N15NA TO-263

150A 150V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu gücü MOSFET, aynı anda mükemmel Rdson ve düşük Geçit şarjı sağlayan gelişmiş Split Gate Trench teknolojisini kullanır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

● AEC-Q101 onaylı 

3 Uygulama 

● Motor kontrolü ve sürücü

● Pil yönetimi 

● UPS (Kesintisiz Güç Kaynakları)

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
150V	5.0mΩ	150A