未命名 (1) (8) (1)
geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » 12V-300V N MOS » DSE058N15NA TO-263

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

DSE058N15NA TO-263

Bu n-kanal geliştirme modu Power Mosfet, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur.
Kullanılabilirlik:
Miktar:
Sormak Sepete Ekle

150A 150V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET


1 Açıklama 

Bu n-kanal geliştirme modu Power Mosfet, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik 

● Direnç düşük 

● Düşük kapı şarjı 

● Hızlı anahtarlama

● Düşük ters transfer kapasitansları 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 

● AEC-Q101 Nitelikli 


3 Uygulama 

● Motor kontrolü ve sürüşü

● Pil yönetimi 

● UPS (Müziksiz Güç Kaynakları)


VDSS RDS (ON) (tip) İD
150V 5.0mΩ 150A


Öncesi: 
Sonraki: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun
    Göndermek
Telif Hakkı © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology tarafından Leadong.com