未命名(1)(8) (1)
שַׁעַר
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
אתה נמצא כאן: בַּיִת » מוצרים » MOSFET » 12V-300V N MOS » DSE058N15NA TO-263

טְעִינָה

שתף ל:
כפתור שיתוף בפייסבוק
כפתור שיתוף בטוויטר
כפתור שיתוף קו
כפתור שיתוף wechat
כפתור שיתוף linkedin
כפתור שיתוף pinterest
כפתור שיתוף בוואטסאפ
שתף את כפתור השיתוף הזה

DSE058N15NA TO-263

ה-MOSFET של מצבי שיפור N-ערוץ זה משתמש בטכנולוגיית Split Gate Trench מתקדמת, המספקת Rdson מעולה וטעינת שער נמוכה בו זמנית. מה שמתאים לתקן RoHS.
זמינות:
כמות:
לִשְׁאוֹל הוסף לסל

150A 150V מצב שיפור N-channel Power MOSFET


1 תיאור 

ה-MOSFET של מצבי שיפור N-ערוץ זה משתמש בטכנולוגיית Split Gate Trench מתקדמת, המספקת Rdson מעולה וטעינת שער נמוכה בו זמנית. מה שמתאים לתקן RoHS. 


2 תכונות 

● התנגדות נמוכה 

● טעינת שער נמוכה 

● מעבר מהיר

● קיבולי העברה הפוכה נמוכים 

● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית 

● 100% בדיקת ΔVDS 

● AEC-Q101 מוסמך 


3 יישומים 

● בקרת מנוע והנעה

● ניהול סוללות 

● UPS (ספקי כוח אל-פסק)


VDSS RDS(on)(TYP) תְעוּדַת זֶהוּת
150V 5.0mΩ 150A


קוֹדֵם: 
הַבָּא: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • הירשם לניוזלטר שלנו
  • התכונן לעתיד
    הירשם לניוזלטר שלנו כדי לקבל עדכונים ישירות לתיבת הדואר הנכנס שלך
    לְהַגִישׁ
זכויות יוצרים © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd טכנולוגיה מאת leadong.com