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DSE058N15NA TO-263

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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150A 150 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

● AEC-Q101 qualifiziert 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Batteriemanagement 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen)


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
150 V 5,0 mΩ 150a


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