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DSE058N15NA TO-263

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus nutzen die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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150 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus nutzen die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

● AEC-Q101-qualifiziert 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Batteriemanagement 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
150V 5,0 mΩ 150A


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