ความพร้อม: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
dse058n15na
wxdh
dse058n15na
ถึง -263
150V
150a
150A 150V N-Channel Enhancement MoSFET MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel เหล่านี้ MOSFET ใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยีร่องลึกเกทแยกขั้นสูงซึ่งให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำในเวลาเดียวกัน ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
● AEC-Q101 ผ่านการรับรอง
3 แอปพลิเคชัน
●การควบคุมมอเตอร์และไดรฟ์
●การจัดการแบตเตอรี่
● UPS (แหล่งจ่ายไฟที่ไม่สามารถแทรกได้)
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
150V | 5.0mΩ | 150a |
150A 150V N-Channel Enhancement MoSFET MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel เหล่านี้ MOSFET ใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยีร่องลึกเกทแยกขั้นสูงซึ่งให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำในเวลาเดียวกัน ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
● AEC-Q101 ผ่านการรับรอง
3 แอปพลิเคชัน
●การควบคุมมอเตอร์และไดรฟ์
●การจัดการแบตเตอรี่
● UPS (แหล่งจ่ายไฟที่ไม่สามารถแทรกได้)
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
150V | 5.0mΩ | 150a |