未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
40A 100V P-kanál v režime vylepšenia napájania MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100 V 40A Špecifikácia zariadenia DH100P40.pdf
100A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Špecifikácia zariadenia DH3205A.pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30 V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
-10A -40V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Zariadenie+DH170P04V+Špecifikácia.pdf
59A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia 60N10B76(1).pdf
180A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Zariadenie DH029N08 Špecifikácia.pdf
180A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N98-Rev.1.0.pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána bipolárny tranzistor G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 TO-220C 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
4A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
150A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
100A 70V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70 V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
145A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V 145A Zariadenie DH028N03 Špecifikácia.pdf
85A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Špecifikácia zariadenia DHS110N15D.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
5A 800V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40 V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40 V 66A Donghai_DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
81A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80 V 81A Zariadenie DH060N08 Špecifikácia.pdf

Video o produkte



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com