Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор



Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

МОП-транзистор

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
180 А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH029N08 TO-220C ДХ029N08 ТО-220С 80В 180А Спецификация устройства DH029N08.pdf
145 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH028N03D TO-252B DH028N03D ТО-252Б 30В 145А R6030NCA 技术规格书.pdf
135 В/3,3 мОм/225 А N-MOSFET DSU035N14N3 Платный пакет ДСУ035Н14Н3 ПОТЕРИ 135 В 225А DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
90А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH045N04D TO-252B ДХ045Н04Д ТО-252Б 100 В 50А Спецификация устройства DH045N04.pdf
120 В/12 мОм/70 А N-МОП-транзистор DSG140N12N3 TO-220C ДСГ140Н12Н3 120 В 70А DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
12А, 650 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 12N65 TO-220C 12Н65 ТО-220С 650В 12А 英文版12N65技术规格书.pdf
250 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH019N04 TO-220C ДХ019N04 ТО-220С 40В 250А Спецификация устройства DH019N04.pdf
238А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH026N06 TO-220C ДХ026Н06 ТО-220С 60В 238А Спецификация устройства DH026N06.pdf
4,8 А, 650 В, N-канальный силовой МОП-транзистор с суперпереходом DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 ТО-220Ф 650В 4,8А DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
40 В/4,5 мОм/40 А N-МОП-транзистор DSR070N04LA DSR070N04LA
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DTG045N04NA TO-220C ДТГ045Н04НА ТО-220С 40В 120А Устройство+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DTE043N04NA TO-263 ДТЕ043N04NA ТО-263 40В 120А Устройство+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
68 В/7,2 мОм/80 А N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N ТО-252Б 68В 80А DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
Режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор 30 А, 100 В DH100P28D TO-252B ДХ100П28Д ТО-252Б -100В -30А Спецификация устройства DH100P28.pdf
N-канальный режим расширения Power MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
-6A -100V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH100P18V SOP-8 ДХ100П18В СОП-8 -100В -6А DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
100 В/8 мОм/68 А N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B ДСД090Н10Л3А ТО-252Б 100 В 68А DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
70 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DATP057N06N DFN5*6 ДАТП057N06N ДФН5*6 60В 70А DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
120 А, 60 В, N-канальный реbfc74a84327adb8=120 В/12 мОм/70 А N-МОП-транзистор DSG140N12N3 TO-220C ДХ065Н06 ТО-220С 60В 120А Устройство+DH065N06+Спецификация+Ред.2.0.pdf
40 А, 100 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH100P40 TO-220C ДХ100П40 ТО-220С 100 В 40А Спецификация устройства DH100P40.pdf

Видео о продукте



  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com