Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор



Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

МОП-транзистор

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
220 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH009N02P DFN5*6-8 ДХ009N02P ДФН5*6-8 20 В 220А Спецификация устройства DH009N02P.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1
18Н50/Ф18Н50/18Н50Д
320 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH009N02U
180A 85V N-канальный режим улучшения MOSFET DSD040N08N3A TO-252B ДСД040Н08Н3А ТО-252Б 85В 180А Устройство+DSD040N08N3A+Спецификация+Ред.1.0.pdf
2А, 600 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор F2N60 TO-220F Ф2Н60 ТО-220Ф 600В 2А
310 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH009N02 TO-220C ДХ009N02 ТО-220С 20 В 310А Спецификация устройства DH009N02.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 120 А, 100 В DH10H035R TO-220C ДХ10Х035Р ТО-220С 100В 120А Спецификация устройства DH10H035R.pdf
5А, 500 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор МОП-транзистор D5N50 TO-252B Д5Н50 ТО-252Б 500В 5А Спецификация устройства D5N50&B5N50.pdf
5А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B5N50 TO-251B Б5Н50 ТО-251Б 500В 5А Спецификация устройства D5N50&B5N50.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN ДСН108Н20Н ТО-3ПН 200В 110А Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
18А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 18N50 TO-220C 18Н50 ТО-220С 500В 18А 英文版18N50技术规格书.pdf
60А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH081N03D TO-252B DH081N03D ТО-252Б 30 В 60А Спецификация устройства DH081N03.pdf
30 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH081N03R DFN3*3-8 ДХ081Н03Р ДФН3*3-8 30 В 30А Спецификация устройства DH081N03R.pdf
320 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH012N03D TO-252B ДХ012Н03Д ТО-252Б 30 В 320А Спецификация устройства DH012N03.pdf
4А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор D4N65 TO-252B Д4Н65 ТО-252Б 650В 4А 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 180 А, 40 В DHS020N04D TO-252B DHS020N04D ТО-252Б 40В 180А Спецификация устройства DHS020N04D.pdf
100 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH85N08 TO-220C ДХ85Н08 ТО-220С 85В 100А Спецификация устройства DH85N08.pdf
320 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH012N03 TO-220C ДХ012N03 ТО-220С 30 В 320А Спецификация устройства DH012N03.pdf
105A 68V N-канальный режим расширения MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E ТО-263 68В 105А Дунхай+DHS055N07&DHS055N07E+Технические данные+V2.0 .pdf

Видео о продукте



  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com