ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

8n60/f8n60

8A 600 В n-канальный режим улучшения мощности Мосфет
Доступность:
Количество:

8A 600V N-канальный режим режима Power Mosfet

1 Описание

Эти кремниевые n-канальные улучшенные vdmosfets получают самостоятельной планарной технологией, которая уменьшает

Потеря проводимости, улучшение производительности переключения и повышение энергии лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.

2 функции

● Быстрое переключение

● Улучшенная ESD улучшенная способность

● Низкое сопротивление (rdson≤1,2 Ом)

● Заряд с низким затвором (тип: 24NC)

● Низкие емкости обратного переноса (тип: 5,5PF)

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной

● Тест 100% ΔVDS

3 приложения

● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.

● Схема питания адаптера и зарядного устройства.


VDSS RDS (ON) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР
600 В. 0,98 Ом


Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик