8N60/F8N60

8A 600V N-kanals forbedringsmodus MOSFET

1 Beskrivelse

Disse silisium-N-kanals forbedrede VDMOSFET-ene er oppnådd ved den selvjusterte plane teknologien som reduserer

Ledningstap, forbedre bytteytelsen og forbedre snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden.

2 funksjoner

● Rask bytte

● ESD forbedret muligheten

● Lav på motstand (Rdson≤1.2Ω)

● Lav portladning (TYP: 24NC)

● Lav omvendt overføringskapasitans (TYP: 5,5PF)

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test

● 100% ΔVDS -test

3 søknader

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet.

● Strømbryterkrets for adapter og lader.