8N60/F8N60

8A 600V N-canali amplificatio Modus Power MOSFET

1 Description

Haec Pii N-canali vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-varia obtinetur, quae thecam minuunt

conductio damnum, emendare mutandi perficiendi et augendae NIVIS energiae. Quod congruit cum RoHS vexillum.

2 Features

Fast commutatione

ESD melius facultatem

● Minimum resistente (Rdson≤1.2Ω)

Minimum crimen (Typ: 24nC)

Minimum contra facultates translationis (Typ: 5.5pF)

C% una pulsus NIVIS industria test

C% VDS test

III Applications

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum.

● Virtutis ambitum nibh ac patina commutandum.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
600V	0.98Ω	8A