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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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400V-1500VNMOS

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85A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D PARA-252B 150 V 85A Especificação do dispositivo DHS110N15D.pdf
40A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100V 40A Especificação do dispositivo DH100P40.pdf
4A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
-10A -40V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V POP-8 -40V -10A Dispositivo+DH170P04V+Especificação.pdf
50A 650V Trenchstop isolou o transistor bipolar G50T65D TO-3PN da porta G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
150A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E PARA-263 150 V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
5A 800V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
7A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 PARA-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
 D7N60 TO-252B D7N60 PARA-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
40A 1200V canal N SiC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C PARA-247 1200 V 40A Especificação do dispositivo DCC075M120G2C.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
60A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 PARA-252B 60V 60A Especificação do dispositivo DHD015N06(低开启电压50N06).pdf
3A 900V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 PARA-251 900V 3A Especificação do dispositivo DH3N90.pdf
4.5A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650 V 4,5A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf
7.6A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7,6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
10.6A 700V canal N Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10,6A Especificação do dispositivo DJF420N70T Rev.1.0.pdf
10.6A 700V canal N Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T PARA-252B 700 V 10,6A Especificação do dispositivo DJD420N70T Rev.1.0.pdf
8A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600 V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
20A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F20N60 TO-220F F20N60 TO-220F 600 V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
16A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F16N60 TO-220F F16N60

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