未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

400 V-1500 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
4,8 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
12A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
85A 150 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150 V 85A Specyfikacja urządzenia DHS110N15D.pdf
N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy 12 A, 700 V DJF360N70
40A 100 V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100 V 40A Specyfikacja urządzenia DH100P40.pdf
11A 650V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Urządzenie DHSJ11N65Specyfikacja(S).pdf
-10A -40V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Urządzenie+DH170P04V+Specyfikacja.pdf
4A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 50A, 650 V, G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
42A 600V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Specyfikacja urządzenia DJC070N60F.pdf
13A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650 V 13A Specyfikacja urządzenia DHSJ13N65.pdf
5A 800V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
31A 600V N-kanałowy MOSFET mocy z superzłączem DJC099N60F/DJF099N60F
150A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150 V 150A DHS042N15 i DHS042N15E_Arkusz danych_V2.0 (1).pdf
D7N60 TO-252B D7N60 TO-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
40A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200 V 40A Specyfikacja urządzenia DCC075M120G2C.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900 V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
60A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Specyfikacja urządzenia DHD015N06 (低开启电压50N06）.pdf
7A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650 V 7A Wersja DHD7N65 技术规格书REV1.1.pdf
20A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50 技术规格书REV1.1.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com