brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

400 V-1500 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
85A 150 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150 V 85A Specyfikacja urządzenia DHS110N15D.pdf
40A 100V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100 V 40A Specyfikacja urządzenia DH100P40.pdf
-10A -40V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Urządzenie+DH170P04V+Specyfikacja.pdf
4A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 50A, 650 V, G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
150A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150 V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
5A 800V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
7A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650 V 7A Wersja DHD7N65 技术规格书REV1.1.pdf
 D7N60 TO-252B D7N60 TO-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
40A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200 V 40A Specyfikacja urządzenia DCC075M120G2C.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900 V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
60A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Specyfikacja urządzenia DHD015N06 (低开启电压50N06).pdf
3A 900 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900 V 3A Specyfikacja urządzenia DH3N90.pdf
4,5 A, 650 V, tryb wzmocnienia kanału N, moc MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650 V 4,5A 英文版F5N65C 技术规格书REV1.1.pdf
10,6 A 700 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700 V 10,6A Specyfikacja urządzenia DJF420N70T Rev.1.0.pdf
7,6 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7,6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
10,6 A 700 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700 V 10,6A Specyfikacja urządzenia DJD420N70T Rev.1.0.pdf
8A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600 V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
20A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F20N60 TO-220F F20N60 TO-220F 600 V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
16A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F16N60 TO-220F F16N60

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą