Nome: 建议图片大小150px*50px 
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| Quantidade: | |
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DH100P35/DH100P35F/DH100P35E/DH100P35B/DH100P35D
WXDH
MOSFET de potência do modo de aprimoramento do canal P 35A 100V
1 Descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal P, usados com tecnologia e design de trincheira avançados, fornecem excelente Rdson com baixa carga de portão.O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Troca rápida
● Baixa resistência ON
● Carga baixa no portão
● Baixas capacitâncias de transferência reversa
● Teste de energia de avalanche de pulso único 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.
● Equipamentos portáteis e sistemas alimentados por bateria
● Aplicativo Alertor
| VDSS | RDS(ligado) (TYP) | EU IA |
| -100V | 37mΩ | -35A |
MOSFET de potência do modo de aprimoramento do canal P 35A 100V
1 Descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal P, usados com tecnologia e design de trincheira avançados, fornecem excelente Rdson com baixa carga de portão.O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Troca rápida
● Baixa resistência ON
● Carga baixa no portão
● Baixas capacitâncias de transferência reversa
● Teste de energia de avalanche de pulso único 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.
● Equipamentos portáteis e sistemas alimentados por bateria
● Aplicativo Alertor
| VDSS | RDS(ligado) (TYP) | EU IA |
| -100V | 37mΩ | -35A |
