注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Ilość: | |
|---|---|
DH100P35/DH100P35F/DH100P35E/DH100P35B/DH100P35D
WXDH
MOSFET mocy 35 A, 100 V, w trybie wzmocnienia kanału P
1 Opis
Te ulepszone tranzystory VDMOSFET z kanałem P, wykorzystujące zaawansowaną technologię i konstrukcję rowów, zapewniają doskonały współczynnik Rdson przy niskim ładunku bramki.Co jest zgodne ze standardem RoHS.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Niska rezystancja włączenia
● Niska opłata za bramkę
● Niskie pojemności przesyłu zwrotnego
● 100% test energii lawinowej przy pojedynczym impulsie
● 100% test ΔVDS
3 aplikacje
● stosowane w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.
● Sprzęt przenośny i systemy zasilane bateryjnie
● Aplikacja ostrzegająca
| VDSS | RDS(wł.) (TYP) | ID |
| -100 V | 37 mΩ | -35A |
MOSFET mocy 35 A, 100 V, tryb wzmocnienia kanału P
1 Opis
Te ulepszone tranzystory VDMOSFET z kanałem P, wykorzystujące zaawansowaną technologię i konstrukcję rowów, zapewniają doskonały współczynnik Rdson przy niskim ładunku bramki.Co jest zgodne ze standardem RoHS.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Niska rezystancja włączenia
● Niska opłata za bramkę
● Niskie pojemności przesyłu zwrotnego
● 100% test energii lawinowej przy pojedynczym impulsie
● 100% test ΔVDS
3 aplikacje
● stosowane w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.
● Sprzęt przenośny i systemy zasilane bateryjnie
● Aplikacja ostrzegająca
| VDSS | RDS(wł.) (TYP) | ID |
| -100 V | 37 mΩ | -35A |
