35A 100V P채널 강화 모드 전력 MOSFET
1 설명
고급 트렌치 기술과 설계를 사용하는 이러한 P채널 강화 VDMOSFET는 낮은 게이트 전하로 우수한 Rdson을 제공합니다.RoHS 표준을 준수합니다.
2 특징
● 빠른 전환
● 낮은 ON 저항
● 낮은 게이트 요금
● 낮은 역전송 용량
● 100% 단일 펄스 눈사태 에너지 테스트
● 100% ΔVDS 테스트
3 응용
● 시스템 소형화 및 고효율화를 위해 다양한 전원 스위칭 회로에 사용됩니다.
● 휴대용 장비 및 배터리 구동 시스템
● 알리미 애플리케이션
VDSS RDS(켜짐)(일반) ID -100V 37mΩ -35A
35A 100V P채널 강화 모드 전력 MOSFET
1 설명
고급 트렌치 기술과 설계를 사용하는 이러한 P채널 강화 VDMOSFET는 낮은 게이트 전하로 우수한 Rdson을 제공합니다.RoHS 표준을 준수합니다.
2 특징
● 빠른 전환
● 낮은 ON 저항
● 낮은 게이트 요금
● 낮은 역전송 용량
● 100% 단일 펄스 눈사태 에너지 테스트
● 100% ΔVDS 테스트
3 응용
● 시스템 소형화 및 고효율화를 위해 다양한 전원 스위칭 회로에 사용됩니다.
● 휴대용 장비 및 배터리 구동 시스템
● 알리미 애플리케이션
VDSS RDS(켜짐)(일반) ID -100V 37mΩ -35A
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참고: 建议图文大小150px*50px 
