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DH100P35/DH100P35F/DH100P35E/DH100P35B/DH100P35D
WXDH
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de 35 A y 100 V
1. Descripción
Estos VDMOSFET mejorados de canal P, que utilizan tecnología y diseño de zanja avanzados, proporcionan un Rdson excelente con una carga de puerta baja.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Baja resistencia de encendido
● Cargo de puerta bajo
● Bajas capacidades de transferencia inversa
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● utilizado en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturización del sistema y mayor eficiencia.
● Equipos portátiles y sistemas alimentados por baterías.
● Aplicación de alerta
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| -100V | 37mΩ | -35A |
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de 35 A y 100 V
1. Descripción
Estos VDMOSFET mejorados de canal P, que utilizan tecnología y diseño de zanja avanzados, proporcionan un Rdson excelente con una carga de puerta baja.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Baja resistencia de encendido
● Cargo de puerta bajo
● Bajas capacidades de transferencia inversa
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● utilizado en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturización del sistema y mayor eficiencia.
● Equipos portátiles y sistemas alimentados por baterías.
● Aplicación de alerta
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| -100V | 37mΩ | -35A |
