ပုံ- 建议图片大小150px*50px 
 |
| အရေအတွက်- | |
|---|---|
DH100P35/DH100P35F/DH100P35E/DH100P35B/DH100P35D
WXDH
35A 100V P-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤ P-channel Enhanced VDMOSFETs၊ အသုံးပြုထားသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာနှင့် ဒီဇိုင်းများသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson အား တံခါးအားသွင်းမှုနည်းပါးစွာဖြင့် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ခုခံနိုင်စွမ်းနည်းသည်။
● Low Gate Charge
● Reverse Transfer Capacitance နည်းပါးသည်။
● 100% Single Pulse Avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● စနစ်အသေးစားပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အမျိုးမျိုးသော ပါဝါကူးပြောင်းပတ်လမ်းများတွင် အသုံးပြုသည်။
● ခရီးဆောင်ပစ္စည်းများနှင့် ဘက်ထရီပါဝါစနစ်များ
● သတိပေးချက် အပလီကေးရှင်း
| VDSS | RDS(ဖွင့်) (TYP) | အမှတ်သညာ |
| -100V | 37mΩ | -35A |
35A 100V P-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤ P-channel Enhanced VDMOSFETs၊ အသုံးပြုထားသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာနှင့် ဒီဇိုင်းများသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson အား တံခါးအားသွင်းမှုနည်းပါးစွာဖြင့် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ခုခံနိုင်စွမ်းနည်းသည်။
● Low Gate Charge
● Reverse Transfer Capacitance နည်းပါးသည်။
● 100% Single Pulse Avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● စနစ်အသေးစားပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အမျိုးမျိုးသော ပါဝါကူးပြောင်းပတ်လမ်းများတွင် အသုံးပြုသည်။
● ခရီးဆောင်ပစ္စည်းများနှင့် ဘက်ထရီပါဝါစနစ်များ
● သတိပေးချက် အပလီကေးရှင်း
| VDSS | RDS(ဖွင့်) (TYP) | အမှတ်သညာ |
| -100V | 37mΩ | -35A |
