DH100P35/DH100P35F/DH100P35E/DH100P35B/DH100P35D
WXDH
35A 100V PチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
これらの P チャネル強化型 VDMOSFET は、高度なトレンチ技術と設計を使用しており、低いゲート電荷で優れた Rdson を実現します。RoHS規格に準拠しています。
2 特徴
●高速スイッチング
● 低いオン抵抗
● 低いゲートチャージ
● 低い逆転送容量
● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験
● 100% ΔVDS テスト
3 アプリケーション
●各種電源スイッチング回路に使用され、システムの小型化、高効率化を実現します。
● ポータブル機器およびバッテリ駆動システム
● アラートアプリケーション
VDSS | RDS(on) (TYP) | ID |
-100V | 37mΩ | -35A |
35A 100V PチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
これらの P チャネル強化型 VDMOSFET は、高度なトレンチ技術と設計を使用しており、低いゲート電荷で優れた Rdson を実現します。RoHS規格に準拠しています。
2 特徴
●高速スイッチング
● 低いオン抵抗
● 低いゲートチャージ
● 低い逆転送容量
● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験
● 100% ΔVDS テスト
3 アプリケーション
●各種電源スイッチング回路に使用され、システムの小型化、高効率化を実現します。
● ポータブル機器およびバッテリ駆動システム
● アラートアプリケーション
VDSS | RDS(on) (TYP) | ID |
-100V | 37mΩ | -35A |
江蘇東海半導体有限公司は、2004 年 12 月に江蘇省無錫市新呉区朔芳中通東路 88 号に設立されました。面積は15000平方メートルです。登録資本金は8,150万元です。年間5億電力の生産ラインを持っています。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。