江蘇東海半導体有限公司
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35A 100V PチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET

35A 100V P チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET
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数量:
  • DH100P35/DH100P35F/DH100P35E/DH100P35B/DH100P35D

  • WXDH

35A 100V PチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET


1 説明

これらの P チャネル強化型 VDMOSFET は、高度なトレンチ技術と設計を使用しており、低いゲート電荷で優れた Rdson を実現します。RoHS規格に準拠しています。 


2 特徴 

●高速スイッチング

● 低いオン抵抗 

● 低いゲートチャージ 

● 低い逆転送容量 

● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験

● 100% ΔVDS テスト 


3 アプリケーション 

●各種電源スイッチング回路に使用され、システムの小型化、高効率化を実現します。 

● ポータブル機器およびバッテリ駆動システム 

● アラートアプリケーション


VDSS RDS(on) (TYP) ID 
-100V 37mΩ -35A



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